嘉兴整体成型硅橡密封圈真空烘箱规格尺寸

    与普通干燥箱相比，真空烘箱突出的优势为它的加热方式。真空烘箱是四面安装有紧贴真空室外箱壁金属板的功率相同的电热丝，所以在电热丝在进行加热时，热量通过真空室的不锈钢金属壁辐射到工作室内，保证了工作室内的温度辐射热量相同，从而使得烘干中的物料保持均匀性。随着时间的推移和设备的使用，真空烘箱在工作中也暴露了许多缺陷。真空烘箱的维修很麻烦，对于电热丝烧断的维修，只能先把真空烘箱的大门拆掉，然后取下硅胶密封条并拆掉真空室的固定螺丝，再拆掉真空烘箱后面的盖板，取出所有的保温岩棉，拆卸出真空室。这样繁琐的步骤结束后才能更换新的电热丝并重新安装真空烘箱设备。此外，真空烘箱的温度上升慢、下降慢问题，给干燥工作带来一定的局限性，且真空实验结束后，还容易使得实验人员被真空室的四周金属壁烫伤，因此真空烘箱的安全性和人性化设计需要进一步改进。箱体闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。嘉兴整体成型硅橡密封圈真空烘箱规格尺寸

BPO胶/PI胶/BCB胶固化烘箱要求一、技术指标与基本配置：1、洁净度：Class100级2、氧含量（配氧分析仪）：高温状态氧含量：≤10ppm+气源氧含量;低温状态氧含量：≤20ppm+气源氧含量3、使用温度：RT～400℃，最高温度：450℃4、控温稳定度：±1℃；5、温度均匀度：150℃±1.5%，350℃±2%以内（空载测试）；6、腔体数量:2个,上下布置；单独控温7、炉膛材料：SUS304镜面不锈钢；加热元件：不锈钢加热器；热偶8、空炉升温时间：1.5h；9、空炉降温时间：375℃--80℃；降温时间1.5-3.5小时(采用水冷及风冷)；10、智能控制系统：PCL+PC工控电脑温州加热功率比例可调真空烘箱监控系统真空箱外壳必须有效接地，以保证使用安全。

    BPO型高温胶固化作为压敏黏合剂可以用传统的高温胶带涂敷设备涂布于PET、铝箔等基材上以制作特殊性能的压敏黏粘带，具有良好的耐高温和耐化学性，也可应用于印刷线路板电镀工艺过程遮蔽、SMT制程、FPC、PCB板、喷砂、涂装、高温烤漆、镀金或电镀过程中遮蔽需保护部分，以及电子、电气等产品绝缘包扎固定等。在某些应用中，由于胶粘剂与背衬材料的结合度不够，就可能需要在涂布胶粘剂之前，先涂布一层底涂。底涂材料必须在使用前进行固化，固化条件取决于设备的性能、基材类型及所使用的配方。表面硫化周期：80－90℃*2min除溶剂，以确保在进入固化区硫化时粘合剂中没有溶剂存在；160-170℃*6min，通过热固化使其粘合力、内聚强度以及初粘力进一步加强。但完全硫化所需的确切条件取决于加热炉的长度、温度和效率，固化剂的类型以及所使用的底材的类型，同时必须在设备上进行试验来确定该条件。如果设备和基材允许使用更高的固化温度，则固化时间可以缩短。与低温固化相比，提高固化温度可以在更短时间内达到胶粘剂的内聚强度。

真空干燥箱和一般的烘箱区别真空箱：是在负压下工作，氧含量少，可以减少或杜绝氧化反应。负压下溶剂的沸点降低，避免高温干燥损坏物料品质。若溶剂为有害或有价值的气体可以冷凝回收。缺点：温度均匀性不好控制，如需控制均匀性必须做多层层板且单独加热。也有真空箱体带风机，先真空再充氮气的加热的。这样可以减少氧化，且通过鼓风保证均匀性。但是没有办法降低溶剂沸点。一般烘箱：是通过电加热再加鼓风，用热空气换热使物料干燥。通常较真空干燥比造价低，运行成本低。定期检查轴套的磨损情况，磨损较大后应及时更换。

一般的电热（鼓风）干燥箱均设有温度均匀度参数：自然对流式的干燥箱为工作温度上限乘3%，强制对流式的干燥箱为工作温度上限乘2.5%。惟独电热真空干燥箱不设温度均匀度参数，这是因为真空干燥箱内依靠气体分子运动使工作室温度达到均匀的可能性几乎已经没有了。因此，从概念上我们就不能再把通常电热（鼓风）干燥箱所规定的温度均匀度定义用到真空干燥箱上来。在真空状态下设这个指标也是没有意义的。热辐射的量与距离的平方成反比。同一个物体，距离加热壁20cm处所接受的辐射热只是距离加热壁10cm处的1/4。差异很大。这种现象与冬天晒太阳时，晒到太阳的一面很暖和，晒不到太阳的一面比较冷是一个道理。由于真空干燥箱在结构上很难做到使工作室三维空间内的各点辐射热的均匀一致，同时也缺乏好的评估方法，这有可能是电热真空干燥箱标准中不设温度均匀度参数的原因。真空箱不需连续抽气使用时，应先关闭真空阀，再关闭真空泵电源。进口数显真空烘箱适用范围

真空泵要停止使用时，先关闭闸阀、压力表，然后停止电机。嘉兴整体成型硅橡密封圈真空烘箱规格尺寸

    为获得平坦而均匀的光刻胶涂层并使光刻胶与晶片之间有良好的黏附性，通常在涂胶前对晶片进行预处理。预处理第一步常是脱水烘烤，在真空或干燥氮气的机台中，以150～200℃烘烤。工艺目的是除去晶片表面吸附的水分，在此温度下，晶片表面大约保留了一个单分子层的水。涂胶后，晶片须经过一次烘烤，称之软烘或前烘。工艺作用是除去胶中大部分溶剂并使胶的曝光特性固定。通常，软烘时间越短或温度越低会使得胶在显影剂中的溶解速率增加且感光度更高，但对比度会有降低。实际上软烘工艺需要通过优化对比度而保持可接受感光度的试凑法用实验确定，典型的软烘温度是90～100℃，时间从用热板的30秒到用烘箱的30分钟。在晶片显影后，为了后面的高能工艺，如离子注入和等离子体刻蚀，也须对晶片进行高温烘烤，称之后烘或硬烘。这一工艺目的在于：减少驻波效应；激发化学增强光刻胶PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。 嘉兴整体成型硅橡密封圈真空烘箱规格尺寸