杭州锗管三极管测量方法

三极管的工作原理：是输出信号范围的要求，如果没有加偏置，那么只有对那些增加的信号放大，而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电极电流为0，不能再减小了)。而加上偏置，事先让集电极有一定的电流，当输入的基极电流变小时，集电极电流就可以减小;当输入的基极电流增大时，集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。因为发射区多子浓度高，使大量电子从发射区扩散到基区，扩散运动形成发射极电流 ；因为基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合，复合运动形成基极电流 ；因为集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区，漂移运动形成集电极电流 。开关三极管因功率的不同可分为小功率开关管、中型率和大功率开关管。杭州锗管三极管测量方法

三极管自身并不能把小电流变成大电流，它起着一种控制作用，控制着电路里的电源，按确定的比例向三极管提供 I b 、 I c 和 I e 这三个电流。为了容易理解，我们还是用水流比喻电流。这是粗、细两根水管，粗的管子内装有闸门，这个闸门是由细的管子中的水量控制着它的开启程度。如果细管子中没有水流，粗管子中的闸门就会关闭。注入细管子中的水量越大，闸门就开得越大，相应地流过粗管子的水就越多，这就体现出“以小控制大，以弱控制强”的道理。插件三极管哪家好三极管工厂定制，哪家优惠，便宜。

三极管锗管的穿透电流比较大，一般由几十微安到几百微安，硅管的穿透电流就比较小，一般只有零点几微安到几微安。 I ceo 虽然不大，却与温度有着密切的关系，它们遵循着所谓的“加倍规则”，这就是温度每升高 10℃ ， I ceo 约增大一倍。例如，某锗管在常温 20℃ 时， I ceo 为 20μA ，在使用中管芯温度上升到 50℃ ， I ceo 就增大到 160μA 左右。测量 I ceo 的电路很简单，三极管的基极开路，在集电极与发射极之间接入电源 V CC （ 6V ），串联在电路中的电流表（可用万用表中的 0.1mA 挡）所指示的电流值就是 I ceo 。

BVCEO是三极管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。如果在使用中加在集电极与发射极之间的电压超过这个数值时，将可能使三极管产生很大的集电极电流，这种现象叫击穿。三极管击穿后会造成性损坏或性能下降。 PCM是集电极大允许耗散功率。三极管在工作时，集电极电流在集电结上会产生热量而使三极管发热。若耗散功率过大，三极管将烧坏。在使用中如果三极管在大于PCM下长时间工作，将会损坏三极管。需要注意的是大功率三极管给出的大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

大功率三极管大功率三极管一般是指耗散功率大于1瓦的三极管。可普遍应用于高、中、低频功率放大、开关电路，稳压电路，模拟计算机功率输出电路。常见的大功率三极管的特点是工作电流大，而且体积也大，各电极的引线较粗而硬，集电极引线与金属外壳或散热片相连。这样金属外壳就是管子的集电极，塑封三极管的自带散热片也就成为集电极了。大功率三极管根据其特征频率的不同分为高频大功率三极管(f(t)>3mhz)和低频大功率三极管 (f(t)<(3mhz)。三极管作为开关时需注意它的可靠性；在基极人为接入了一个负电源VEE，即可解决它的可靠性。绍兴平面三极管接线图

SOT-23 PNP贴片三极管，型号MMBT3906 S8550。杭州锗管三极管测量方法

正向放大区（或简称放大区）：当发射结正向偏置，集电结反向偏置时，晶体管工作在放大区。大多数双极性晶体管的设计目标，是为了在正向放大区得到大的共射极电流增益。晶体管工作在这一区域时，集电极-发射极电流与基极电流近似成线性关系。由于电流增益的缘故，当基极电流发生微小的扰动时，集电极-发射极电流将产生较为有名变化。反向放大区：当发射结反向偏置，集电结正向偏置时，晶体管工作在反向放大区。此时发射区和集电区的作用与正向放大区正好相反，但由于集电区的掺杂浓度低于发射区，反向放大区产生的放大效果小于正向放大区。而大多数双极性晶体管的设计目标是尽可能得到大正向放大电流增益，因此在实际这种工作模式几乎不被采用。杭州锗管三极管测量方法

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