杭州芯片式电流传感器设计标准
无锡纳吉伏研发的新型电流传感器的具体工作过程如下:当被测电流穿过磁芯中心,磁芯中会产生感应电流。如果被测电流中既包含高频分量也包含低频分量那么就会产生相应频率的感应电流,感应得到的高频分量会通过高通滤波器,而低频分量则会被低通滤波器选择。此时低频感应电流便会流过采样电阻Rsi,当磁芯饱和后次级电流便会迅速增大从而使釆样电阻上的釆样电压大于单限比较器阈值电压。此时或门电路输出高电平触发D触发器时钟端,D触发器输出转换,进而转换H桥逆变电路开关状态。此时次级电流is的方向发生改变,磁芯退饱和。被测电流感应的电流中的高频分量通过高通滤波器,同样地,当磁芯饱和至预设情形时,釆样电阻电压增大至大于双限电压比较器的预设电压,这时双限电压比较器便会产生高电平进而控制H桥逆变电路的开关状态(与低频侧工作过程相同)。新型储能技术是当前能源科技创新的重要方向之一,其技术的不断提升和创新。杭州芯片式电流传感器设计标准

传统的自激振荡磁通门电路测量直流是通过测量采样电阻上的电压信号进行信号 采集, 其中有用信号为采样电阻上电压信号的平均值, 实际电路在测量直流时通过低通 滤波器 LPF 即可完成平均值电压信号解调。然而当测量交直流信号时, 由于一次侧电流 中有交流信号, 其在激磁绕组上产生的感应电流信号势必会影响铁芯激磁过程, 此时铁 芯的激磁过程变得更为复杂, 非线性特征更为明显, 使激磁电流中产生大量高频的无用 谐波, 而低通滤波器 LPF 虽然结构简单, 成本低,但是其滤波效果有限, 导致高频谐波 滤波后仍有残留, 其伴随有用信号进入误差控制模块,将影响终测量结果的准确性。 因此,本文设计的新型交直流电流传感器,通过低通滤波器 LPF 配合高通滤波器 HPF 对取自采样电阻 RS1 上的电压信号进一步处理,有效滤除其中的无用高频谐波信号,以 提高零磁通交直流检测器测量精度。九江电池电流传感器厂家直销随着可再生能源的大规模开发和利用,电力系统对调节能力、安全稳定性的需求越来越高。

无锡纳吉伏公司根据参数优化设计准则,进行了铁芯选型并设计了相应电流检测电路、信号解调电路、误差控制电路及电流反馈电路,用双铁芯三绕组研制出新型交直流电流传感器,相比同类产品的三铁芯四绕组,四铁芯六绕组等结构,成本极大降低,结构也得到简化。利用比例直流叠加法,提出了新型交直流电流传感器性能测试方案。进行了交流计量性能测试、直流计量性能测试以及交直流计量性能测试,测试结果表明,其电流测量误差均小于0.05级电流互感器误差限值。说明研制的交直流传感器解决了一二次融合下高精度交直流电流测量问题,且交流测量与直流测量互不干扰,可以单独作为高精度交流电流传感器,也可作为高精度直流电流传感器,同时亦可作为抗直流互感器和交直流电流传感器的检定标准。
传统的电流互感器或交流比较仪,当一次电流为交直流混合电流时,一次电流中的 直流分量并不适用于电磁感应原理, 因此全部的直流分量用于铁芯励磁,致使铁芯进入 饱和区, 此时电流互感器二次侧电流出现畸变, 导致一二次安匝失去平衡,交流误差显 著增大。非线性铁芯材料在直流分量下均会产生磁饱和问题,为了实现交直流电流 测量, 需对一次电流中直流分量在铁芯中产生的直流磁势进行补偿, 平衡铁芯中直流磁 势使铁芯磁饱和问题得到解决, 此时交流比较仪部分可实现交流精密测量[38] 。因此,实 现交直流电流精密测量的关键就是构建一二次交直流磁势平衡,通过磁势闭环实现主铁 芯零磁通工作状态。而传统自激振荡磁通门原理的电流传感器仍属于开环电流测量方法, 总体上电流测量精度无法达到很高, 其受电磁干扰及传感器本身线性度影响较大, 且当 一次电流中交直流同时存在时, 一次电流在激磁绕组产生感应纹波电流, 影响了交流分 量的检测精度。因此, 本文借鉴传统电流比较仪闭环结构及反馈环节,构建新型交直流 电流传感器的闭环零磁通电流测量方案, 来实现交直流电流精密测量。但是金属中的霍尔效应很微弱,信号微弱检测不到,在很长一段时间里这限制了霍尔效应的应用。

假设功率放大电路性能优越,在设计检测带宽内闭环增益大,输出纹波电流小,输出稳定。则G3可用其闭环增益KPA表示其传递函数为:G3=KPA(3-15)电流反馈模块输入信号为反馈绕组WF两端电压信号,即功率放大电路输出电压信号。其输出信号为流过终端测量电阻RM的反馈电流信号IF。根据上述关系,可推导电流反馈模块G4的传递函数为:G4==RM+ZF1RM+jwLFlcRMlc+jwμ0μeN2F(2Sc)(3-16)式(3-16)中,ZF为反馈绕组WF的复阻抗,忽略其电阻值,用反馈绕组的激磁感抗jwLF表示;根据激磁电感与磁路参数关系进一步对公式进行化简,式中lc为合成铁芯C12的平均磁路长度,μe为合成铁芯C12的有效磁导率,SC为单个铁芯的截面面积,合成铁芯C12的截面面积为2SC。电芯:300Ah+电芯赛道百家争鸣,大容量电芯的降本增效优势很大。吉林电池电流传感器定制
2022年广东省新型储能产业营业收入约1500亿元。杭州芯片式电流传感器设计标准
观察式(2-25)、(2-26),为了避免复杂运算,需要对ln运算进行化简。根据洛必达法则,假设Im<<IC,则有2Im/(IC-Im)→0,可对两式前半部分进行化简;假设Ith<<IC,βIp1<<IC,则有2Ith/(IC-Ith-βIp1)→0、2Ith/(IC-Ith+βIp1)→0,可对两式后半部分进行化简,化简结果如下:TP~τ12Im+(τ2-τ1)2IthIC-ImIC-Ith-βIp1TN~τ12Im+(τ2-τ1)2IthIC-ImIC-Ith+βIp1由化简后Tp、TN表达式可进一步计算得到:ΔT=T-T=4βIp1Ith(τ2-τ1)PN(IC-Ith-βIp1)(IC-Ith+βIp1)T=TP+TN=4Ith(IC-Ith)(τ2-τ1)+4Imτ1(IC-Ith-βIp1)(IC-Ith+βIp1)IC-Im杭州芯片式电流传感器设计标准
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