杭州陶瓷抛光液

铝合金抛光液  铝材镜面抛光液是在三酸抛光基础上发展起来的，是三酸抛光的换代产品。它保留了工序简单，能形成反光镜面等三酸抛光的诸多优点，同时，也克服流痕、黄等致命弱点，是一项难得的技术突破，特点如下：  

1、可任意滴流，滴干为止。由于三酸抛光槽液允许滴流的时间不能超过30秒，大量抛光液(400－600kg/T)被带进水洗槽，造成巨大的槽液损失，还需700-800公斤片碱处理废水!此外，如此短的滴流时间，稍不留心铝合金表面就会有流痕，造成废品，使三酸抛光成品率不足70%。本品添加缓蚀剂使流痕问题得到彻底解决。

2、无黄溢出，硝酸的分解被有效***，抛光亮度稳定。

3、自动***抛光灰，提高抛光质量。

4、特殊方法浓缩槽液，含水量降低，亮度大幅提高。 本公司销售的氧化铝抛光液运用抛光过程中的化学新作用，提高抛光速度，改善抛光表面的质量。杭州陶瓷抛光液

集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液:一种用于集成电路多层互连结构铜/钽化学机械抛光(CMP)的一步抛光工艺技术及相应纳米抛光液。对于互连结构的铜/钽多层膜体系的化学机械抛光,通过本发明的“一步抛光工艺”,单头抛光机能够代替昂贵的多头抛光机,实现多层膜的分步抛光。通过化学机械抛光过程中多层膜体系界面间在线检测信号(声学、力学、电学或光学信号)差异的反馈,对抛光液实施分段应用,有效改善了原有的单一抛光液或分步抛光中存在的低速率及选择性问题。该抛光工艺及相应纳米抛光液有效改善了单一抛光液的速率问题;以单头抛光机代替多头抛光机,降低了设备成本;同时抛光后表面损伤少、易清洗,抛光液不腐蚀设备、不污染环境。四川物理抛光液多晶金刚石 抛光液有良好的韧性，在研磨抛光过程中能够保持高磨削力的同时不易产 生划伤。

化学机械抛光液 

1、化学机械抛光液概念  化学机械抛光液是在利用化学机械抛光技术对半导体材料进行加工过程中的一种研磨液体，由于抛光液是CMP的关键要素之一，它的性能直接影响抛 光后表面的质量，因此它也成为半导体制造中的重要的、必不缺少的辅助材料。  

2、化学机械抛光液的组成  化学机械抛光液的组成一般包括一般由超细固体粒子研磨剂（如纳米SiO2、Al2O3粒子等）、表面活性剂、稳定剂、氧化剂等。固体粒子提供研磨作用,化学氧化剂提供腐蚀溶解作用，由于SiO2粒子去除率比较高,得到的表面质量比较好，因此在硅片抛光加工中主要采用SiO2抛光液，  

3、化学机械抛光液的分类  抛光工艺中有粗抛光和精抛光之分，故有粗抛光液和精抛光液品种之分。  

4、CMP过程中对抛光液性能的要求  抛光液的浓度、磨粒的种类、大小、形状及浓度、抛光液的粘度、pH值、流速、流动途径对去除速度都有影响。

    抛光液是一种不含任何硫、磷、氯添加剂的水溶性抛光剂，具有良好的去油污，防锈，清洗和增光性能，并能使金属制品超过原有的光泽。本产品性能稳定、***，对环境无污染等作用，光液使用方法：包括棘轮扳手、开口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺丝刀等，铅锡合金、锌合金等金属产品经过研磨以后，再使用抛光剂配合振动研磨光饰机，滚桶式研磨光式机进行抛光；1抛光剂投放量为（根据不同产品的大小，光饰机的大小和各公司的产品光亮度要求进行适当配置），2：抛光时间：根据产品的状态来定。3、抛光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。这两个概念主要出现在半导体加工过程中，**初的半导体基片抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是及其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，完美性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表面，又可以得到较高的抛光速率。 氧化硅抛光液用于多种材料纳米级的高平坦化抛光。

抛光液的主要产品可以按主要成分的不同分为以下几大类：金刚石抛光液（多晶金刚石抛光液、单晶金刚石抛光液和纳米金刚石抛光液）、氧化硅抛光液（即CMP抛光液）、氧化铈抛光液、氧化铝抛光液和碳化硅抛光液等几类。 

多晶金刚石抛光液

多晶金刚石抛光液以多晶金刚石微粉为主要成分，配合**散性配方，可以在保持高切削率的同时不易对研磨材质产生划伤。

应用于蓝宝石衬底的研磨、LED芯片的背部减薄、光学晶体以及硬盘磁头等的研磨和抛光。

氧化硅抛光液

氧化硅抛光液是以高纯硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。

用于多种材料纳米级的高平坦化抛光，如：硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料砷化镓、磷化铟，精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。

氧化铈抛光液

氧化铈抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料的氧化铈研磨液，该研磨液具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。

适用于高精密光学仪器，光学镜头，微晶玻璃基板，晶体表面、集成电路光掩模等方面的精密抛光。

氧化铝和碳化硅抛光液

是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液，主要成分是微米或亚微米级的磨料。

用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。 本公司销售的纳米抛光液应用范围：单晶、红宝石、蓝宝石、白宝石、钇铝石榴石。杭州陶瓷抛光液

金刚石 研磨液包括单晶、多晶和纳米。  该产品适合硬质材料的抛光。杭州陶瓷抛光液

硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用:一种用于硫系化合物相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、纳米研磨料、抗蚀剂、表面活性剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境,主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1-x-y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)制备纳电子器件相变存储器,方法简单易行。杭州陶瓷抛光液

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